| Nr. |
Bezeichnung |
Hersteller/Land |
Anzahl |
Bemerkung |
| 1 |
2 GA 109 / 2 OA 646 |
WF-Berlin/hochohm. Ratiodetektor |
63 |
Universaldioden-Paar |
| 2 |
2 GA 113 |
WF-Berlin/hochohm. Ratiodetektor |
17 |
Universaldioden-Paar |
| 3 |
2 OA 646 |
|
2 |
Ratiodetektor |
| 4 |
4 GA 114 |
WF-Berlin / Regelschaltungen |
6 |
Unversaldioden-Quartett |
| 5 |
D 1 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 10V / 5mA |
| 6 |
D 2 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 20V / 5mA |
| 7 |
D 4 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 40V / 5mA |
| 8 |
D 8 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 80 / 5mA |
| 9 |
D 10 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 100V / 5mA |
| 10 |
D 12 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 120V / 5mA |
| 11 |
D 14 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 140V / 5mA |
| 12 |
D 16 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
17 |
Selen - Dioden 160V / 5mA |
| 13 |
D 18 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
11 |
Selen - Dioden 180V / 5mA |
| 14 |
GA 100 / OA 625 |
FWE Funkwerk Erfurt |
9 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 15 |
GA 100 / OA 625 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
95 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 16 |
GA 101 / OA 645 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
337 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 17 |
GA 102 / OA 665 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
104 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 18 |
GA 103 / OA 685 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
287 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 19 |
GA 104 / OA 705 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
42 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 20 |
GA 105 / OA 626 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
66 |
Universaldiode bis 0,3 GHz / für FS |
| 21 |
GA 106 / OA 647 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
0 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 22 |
GA 107 / OA 666 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
19 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 23 |
GA 108 / OA 686 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
31 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
| 24 |
GA 113 x 2 |
WF - BERLIN / Pärchen |
30 |
13 Pärchen |
| 25 |
GA 201 |
WF - BERLIN |
1 |
|
| 26 |
GA 202 |
WF - BERLIN |
1 |
|
| 27 |
GAY 60 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
81 |
kleiner Durchlasswiderstand |
| 28 |
GAY 61 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
28 |
kleiner Durchlasswiderstand |
| 29 |
GAY 62 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
11 |
EDV - hohe Sperrspannung |
| 30 |
GAY 63 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
68 |
EDV - hohe Sperrspannung |
| 31 |
GAY 64 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
241 |
EDV - hohe Sperrspannung |
| 32 |
GAY 64 A |
WF-Berlin / Schaltdioden |
2 |
EDV - hohe Sperrspannung |
| 33 |
GAZ 14 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
0 |
für Rechengeräte und EDV |
| 34 |
GAZ 15 |
WF- Berlin |
5 |
|
| 35 |
GAZ 16 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
28 |
für Rechengeräte und EDV |
| 36 |
GAZ 17 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
223 |
für Rechengeräte und EDV |
| 37 |
GDT |
WBN / grüne Farbe mit rotem Punkt |
1 |
|
| 38 |
GE 115 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 39 |
GE 116 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 40 |
GE 117 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 41 |
GE 118 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 42 |
GE 123 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 43 |
GE 124 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 44 |
GE 125 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 45 |
GE 126 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
| 46 |
GE DET |
WBN |
2 |
Glasausführung |
| 47 |
GP 119 |
WF-BERLIN / Photodiode |
0 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
| 48 |
GP 120 |
WF-BERLIN / Photodiode |
0 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
| 49 |
GP 121 |
WF-BERLIN / Photodiode |
3 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
| 50 |
GP 122 |
WF-BERLIN / Photodiode |
1 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
| 51 |
MD 110 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
| 52 |
MD 120 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
| 53 |
MG 100 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
| 54 |
MG 110 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
| 55 |
MG 120 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
| 56 |
O 12 |
HWF / Germaniumdiode |
1 |
|
| 57 |
O 4 A 647 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Diodenquartett |
| 58 |
O 4 A 653 |
WBN |
0 |
|
| 59 |
O 4 A 654 |
WBN |
0 |
|
| 60 |
O 4 A 657 |
WF Berlin / Diodenquartett |
30 |
Modulieren der Trägerfrequenz |
| 61 |
OA 1161 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
2 |
|
| 62 |
OA 1180 |
WF-Berlin / |
2 |
|
| 63 |
OA 120 |
WBN |
0 |
F i G |
| 64 |
OA 301 |
WF - BERLIN |
0 |
Vi-det; Glasröhre |
| 65 |
OA 302 |
WF - BERLIN |
0 |
Regelsp-d; Galsröhre |
| 66 |
OA 303 |
WF - BERLIN |
0 |
Radiodet; Glasröhre |
| 67 |
OA 304 |
WF - BERLIN |
0 |
Uni-d |
| 68 |
OA 516 |
WBN |
3 |
|
| 69 |
OA 600 |
WBN |
13 |
Mischdiode |
| 70 |
OA 601 |
WF - BERLIN |
11 |
dm-Richtdiode |
| 71 |
OA 602 |
WF - BERLIN |
10 |
dm-Richtdiode |
| 72 |
OA 603 |
WF - BERLIN |
2 |
dm-Richtdiode |
| 73 |
OA 604 |
WF - BERLIN |
6 |
dm-Richtdiode |
| 74 |
OA 605 |
WF - BERLIN |
12 |
dm-Richtdiode |
| 75 |
OA 610 |
WBN |
1 |
|
| 76 |
OA 620 |
WBN |
1 |
Mischdiode |
| 77 |
OA 623 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 78 |
OA 624 |
WBN |
5 |
|
| 79 |
OA 625 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
29 |
Universaldiode |
| 80 |
OA 625 |
WF- Berlin |
24 |
Universaldiode |
| 81 |
OA 626 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
11 |
Videodiode |
| 82 |
OA 626 |
WBN |
1 |
Videodiode |
| 83 |
OA 626 |
WF- Berlin |
8 |
Videodiode |
| 84 |
OA 642 |
WBN / grüne Farbe rotem Punkt |
6 |
Richtdiode |
| 85 |
OA 643 |
WBN |
1 |
|
| 86 |
OA 644 |
WBN |
1 |
|
| 87 |
OA 645 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
6 |
Universaldiode |
| 88 |
OA 645 |
WF - Berlin und WBN |
25 |
Universaldiode |
| 89 |
OA 646 |
WF-Berlin / Einzeldiode |
4 |
|
| 90 |
OA 646 2x |
HFO / DDR Germaniumdioden |
8 |
Diodenpaar |
| 91 |
OA 647 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Schaltdiode |
| 92 |
OA 656 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
2 |
|
| 93 |
OA 665 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
8 |
Universaldiode |
| 94 |
OA 665 |
WBN |
2 |
|
| 95 |
OA 665 |
WF Berlin |
25 |
Universaldiode |
| 96 |
OA 666 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Schaltdiode |
| 97 |
OA 682 |
WBN |
1 |
|
| 98 |
OA 683 |
WBN |
0 |
|
| 99 |
OA 685 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
27 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
| 100 |
OA 685 |
WBN-Berlin / Germaniumdioden |
22 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
| 101 |
OA 685 |
WF- Berlin |
16 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
| 102 |
OA 685 |
WF- Berlin / grau |
14 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
| 103 |
OA 685 C |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
246 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
| 104 |
OA 686 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
3 |
Universaldiode |
| 105 |
OA 702 |
WBN |
0 |
Universaldiode |
| 106 |
OA 705 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
13 |
Universaldiode |
| 107 |
OA 705 |
WBN |
5 |
Universaldiode |
| 108 |
OA 705 |
WF- Berlin |
8 |
Universaldiode |
| 109 |
OA 720 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
5 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 110 |
OA 721 |
WF- Berlin / Germaniumdiode / Glas |
15 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 111 |
OA 721 |
WF-Berlin / Germaniumdioden / grau |
9 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 112 |
OA 722 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
1 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 113 |
OA 741 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
52 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 114 |
OA 780 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
8 |
Schaltdiode/ Golddraht |
| 115 |
OA 801 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
2 |
|
| 116 |
OA 802 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
| 117 |
OA 803 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
2 |
|
| 118 |
OA 804 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
| 119 |
OA 805 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
| 120 |
OA 805 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
10 |
Produziert 01.07.1961 |
| 121 |
OA 900 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
109 |
25 V / 100mA / 2 MHz |
| 122 |
OA 901 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
23 |
50 V / 100mA / 2 MHz |
| 123 |
OA 902 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
5 |
75 V / 100mA / 2 MHz |
| 124 |
OA 903 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
12 |
150 V / 100mA / 2 MHz |
| 125 |
OA 904 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
1 |
250V / 500mA / 2 MHz |
| 126 |
OA 905 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
0 |
350V / 750mA / 2 MHz |
| 127 |
OA 910 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
3 |
|
| 128 |
OAA 646 |
WBN |
1 |
|
| 129 |
OAA 646 |
WF- Berlin |
21 |
|
| 130 |
OAA 647 |
WBN |
0 |
|
| 131 |
OAA 687 |
WBN |
0 |
|
| 132 |
RD 120 A |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 133 |
RD 121 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 134 |
RD 140 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 135 |
RD 140 A |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 136 |
RD 141 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 137 |
RD 160 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
| 138 |
SA 128 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
8 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
| 139 |
SA 129 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
| 140 |
SA 130 |
WF-Berlin / VHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
| 141 |
SA 131 |
WF-Berlin / VHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
| 142 |
SA 403 |
RWM - Si-Planar-Schaltdiode 50ns |
76 |
im Plastgehäuse / roter Punkt |
| 143 |
SA 412 |
RWM - Si-Epitaxie-Diode VHF Tuner |
167 |
Plastgehäuse / Schalterdiode / gelb |
| 144 |
SA 418 |
RWM - Si- Epitaxie-Diode NF und HF |
4 |
grüner Punkt K / grüner Streifen |
| 145 |
SA 418 / 1 |
RWM - Si- Epitaxie-Diode NF und HF |
0 |
grüner Punkt K / grüner Streifen |
| 146 |
SAL 41 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
1414 |
Digital, NF-und HF-Technik |
| 147 |
SAL 41 B |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
1959 |
Digital, NF-und HF-Technik |
| 148 |
SAL 43 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
347 |
Digital, NF-und HF-Technik |
| 149 |
SAL 45 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
0 |
Digital, NF-und HF-Technik |
| 150 |
SAM 42 |
FWE /Gesamtverlustleistung 150mW |
666 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
| 151 |
SAM 43 |
FWE /Gesamtverlustleistung 200mW |
40 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
| 152 |
SAM 44 |
FWE /Gesamtverlustleistung 250mW |
224 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
| 153 |
SAM 45 |
FWE /Gesamtverlustleistung 300mW |
85 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
| 154 |
SAM 62 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
736 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
| 155 |
SAM 63 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
238 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
| 156 |
SAM 64 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
252 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
| 157 |
SAM 65 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
165 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
| 158 |
SAX 33 K |
WF- Berlin |
1 |
|
| 159 |
SAX 34 A |
WF- Berlin |
1 |
|
| 160 |
SAX 35 K |
WF- Berlin |
1 |
|
| 161 |
SAX 42 A |
HFO |
12 |
|
| 162 |
SAX 43 A |
HFO |
8 |
|
| 163 |
SAX 44 A |
HFO |
12 |
|
| 164 |
SAX 45 A |
HFO |
1 |
|
| 165 |
SAX 54 |
WF- Berlin |
1 |
|
| 166 |
SAY 10 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
37 |
schneller Schalter |
| 167 |
SAY 11 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
37 |
schneller Schalter |
| 168 |
SAY 12 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
5981 |
im Plastgehäuse / auch WF Berlin |
| 169 |
SAY 12 / 4 |
RWM / Mühlhausen / Bauform L 2/13 |
137 |
Schneller Schalter |
| 170 |
SAY 12 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
251 |
Schneller Schalter |
| 171 |
SAY 12-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
853 |
Schneller Schalter |
| 172 |
SAY 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
45 |
Schneller Schalter |
| 173 |
SAY 14 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
800 |
schneller Schalter |
| 174 |
SAY 15 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
14 |
schneller Schalter |
| 175 |
SAY 16 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
386 |
im Plastgehäuse |
| 176 |
SAY 16 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
437 |
schneller Schalter |
| 177 |
SAY 16-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
950 |
im Plastgehäuse |
| 178 |
SAY 17 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
118 |
im Plastgehäuse |
| 179 |
SAY 17 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
392 |
im Plastgehäuse |
| 180 |
SAY 17 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
131 |
im Plastgehäuse |
| 181 |
SAY 17-L 2 / 4 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
2400 |
im Plastgehäuse/17.06.89 |
| 182 |
SAY 17-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
837 |
im Plastgehäuse |
| 183 |
SAY 18 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
194 |
im Plastgehäuse / gelb |
| 184 |
SAY 18 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
320 |
im Plastgehäuse |
| 185 |
SAY 19 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
0 |
Schalter |
| 186 |
SAY 20 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
817 |
im Plastgehäuse |
| 187 |
SAY 20 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
604 |
im Plastgehäuse |
| 188 |
SAY 20 / L 2 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
16 |
im Plastgehäuse |
| 189 |
SAY 20 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
8 |
im Plastgehäuse |
| 190 |
SAY 30 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
388 |
mittelschneller Schalter |
| 191 |
SAY 30-L 2/ 13 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
11850 |
im Plastgehäuse/ 18.12.87/1989 |
| 192 |
SAY 32 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
884 |
im Plastgehäuse |
| 193 |
SAY 32 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
650 |
im Plastgehäuse |
| 194 |
SAY 32 / 4 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
28 |
im Plastgehäuse |
| 195 |
SAY 40 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
82 |
im Plastgehäuse |
| 196 |
SAY 40 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
334 |
im Plastgehäuse |
| 197 |
SAY 40 / 4 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
234 |
im Plastgehäuse |
| 198 |
SAY 42 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
139 |
im Plastgehäuse |
| 199 |
SAY 42 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
154 |
im Plastgehäuse |
| 200 |
SAY 42 / 4 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
505 |
Si-Planar-Doppeldiode |
| 201 |
SAY 50 |
FWE |
30 |
Si-Planar-Doppeldiode |
| 202 |
SAY 52 |
FWE |
0 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
| 203 |
SAY 60 |
FWE |
0 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
| 204 |
SAY 62 |
FWE |
48 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
| 205 |
SAY 73 |
RWM/ Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
47 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
| 206 |
SAY 73 / 13 |
RWM/ Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
585 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
| 207 |
SAZ 12 |
WF-BERLIN / Si-Flächendiode |
7 |
Si - Kapazitätsdiode |
| 208 |
SAZ 13 |
WF-BERLIN / Si-Flächendiode |
0 |
Si - Kapazitätsdiode |
| 209 |
SAZ 54 |
WF-Berlin / 20 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |
| 210 |
SAZ 61 |
WF-Berlin / 100 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |
| 211 |
SAZ 71 |
WF-Berlin / 150 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |